1月 14, 2014
従来比3倍となる3,000原子規模のナノデバイス・シミュレーションに成功
株式会社富士通研究所は、スパコンを利用して従来比3倍となる3,000原子規模のナノデバイスにおける電気特性シミュレーションに成功したと発表した。ナノスケールの世界では、原子のわずかな配置の違いがデバイスの電気特性に大きく影響するため、原子レベルから物質の性質を正確に計算できる「第一原理計算」手法が必要だ。しかし、この手法を電気特性予測に適用する場合、計算量が膨大なことから1,000原子規模にとどまっていた。今回、計算精度を保ちながら計算に利用するメモリ量を従来の約4分の1に削減する計算手法と、スパコンを活用した大規模並列化技術により、3,000原子規模への適用を可能にした。
これにより、ナノデバイスの部分単体でなく部分間の相互作用を含んだ電気特性が予測でき、ナノデバイスの早期実用化に貢献することが期待されるということだ。なお、本シミュレーションには、北陸先端科学技術大学院大学および計算科学物質イニシアチブが開発した大規模並列化技術を利用した。
ソース:富士通
http://pr.fujitsu.com/jp/news/2014/01/14.html